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文章目录一览：

• 1、MOS管（场效应晶体管）除了放大作用还有其他作用吗？
• 2、笔记本主板上的场效应管都是干什么用的
• 3、场效应管的G级,D级,S级分别是起什么作用的?
• 4、当UGS=0，UGS>0，UGS
• 5、请教mos管 作用
• 6、什么是场效应管

MOS管（场效应晶体管）除了放大作用还有其他作用吗？

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高（100MΩ～1 000MΩ）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 作用: 场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器. 场效应管可以用作电子开关. 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.家用电器上“好店123”呀!

笔记本主板上的场效应管都是干什么用的

这个问题，电子知识，只能讲器件结构和它的工作原理。在主板上“干什么用的”，需从计算机硬件工作原理来解释：

1、主板上有多种不同器件、多个模块电路单元，其所需工作电压并不统一。需要相应的多种不同电压为其供电；

2、例如，不同类型、架构的CPU，在所需基准工作电压范围内，还会由电源管理芯片控制其上下浮动，进行节能或全马力开工。而电源提供的+12V组供电，不能匹配CPU所需的一点几伏、或零点几伏核心电压；

3、需由主板电源管理芯片，根据系统电源管理指令，控制那些分相组合的场效应管，与电感、电解电容协作，完成DC-DC变换任务，这就是MOS管的作用。即，利用这些电压控制型MOS管，将总电源提供的电压组，分解为主板模组所需的，稳定的、纯化的、相应的工作电压；

4、主板上有多组成对的MOS管，其作用，是为内存、桥片、PLL、总线、板载设备（如声卡、网卡等），提供不同电压的工作电源。也可以说，总电源为一次电源，MOS管的DC-DC组合，为二次纯化电源。

场效应管的G级,D级,S级分别是起什么作用的?

场效应管的三个电极相当于三级管的三个电极，,G是控制极，相当于三级管的B极，电压控制DS的导通率（三极管是电流控制型，B极控制CE的导通能力）

D级是漏极，相当于三级管的集电极，S是源级，相当于三级管的发射级。

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10~10Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

当UGS=0，UGS>0，UGS

UGS＝0，能作用在恒流区的场效应管有：N沟道、P沟道结型和耗尽型；

UGS0，能作用在恒流区的场效应管有：P沟道结型、N沟道增强型和耗尽型；

UGS0，能作用在恒流区的场效应管有：N沟道结型、P沟道增强型和耗尽型；

请教mos管 作用

MOS管作用：用途广泛，包括电视机高频头（高频，小电流）到开关电源（高压大电流），现在把MOS和双极型（普通三极管）复合在一起（IGBT，绝缘栅双极型晶体管），广泛应用于大功率领域。

在计算机领域，CMOS指保存计算机基本启动信息（如日期、时间、启动设置等）的芯片。人们会把CMOS和BIOS混称，其实CMOS是主板上的一块可读写的并行或串行FLASH芯片，是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设定。

MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。

扩展资料：

当CMOS被使用来作数字影像器材的感光元件使用，称有源像素感测器（Active Pixel Sensor）， 例如高分辨率数字摄影机与数码相机，尤其是片幅规格较大的数码单反相机更常见到CMOS的应用。

另外消费型数码相机及附有照相功能的手机亦开始使用堆叠式有源像素感测器（Stacked CMOS，也有人译为积层式有源像素感测器或堆栈式有源像素感测器） 或背面照射式有源像素感测器(BSI CMOS)，使成像质量得以提升。 跟传统的电荷耦合元件(CCD)相比，由于CMOS每粒像素都设有放大器，所以数据传输速度很高。

虽然在用途上与过去CMOS电路主要作为固件或计算工具的用途非常不同， 但基本上它仍然是采取CMOS的工艺，只是将纯粹逻辑运算的功能转变成接收外界光线后转化为电能，再透过芯片上的数字─模拟转换器（ADC）将获得的影像信号转变为数字信号输出。

参考资料来源：百度百科——场效应管

参考资料来源：百度百科——mos管

参考资料来源：百度百科——CMOS

什么是场效应管

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。

场效应管具有如下特点。

（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；

（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。

（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

（5）场效应管的抗辐射能力强；

（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

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